Transistores Samsung

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Transistor efecto campo alimentación original Samsung SSP4N80AS
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IRF 630 N canal HEXFET 200V @ 9 amperios
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Transistor Samsung ""original"" KSD5072 2 piezas
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Semiconductor de tracción original 2N2222A
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Transistor bipolar de potencia original 2SA614-Y de Samsung
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Circuito integrado Samsung extraído original KA7553
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